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        陶瓷電容用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。

        陶瓷電容按照封裝不同可分為插件和貼片式！按照介質(zhì)不同可分為類I瓷介電容和II類瓷介I電容，通常NP0,SL0,COG是I類瓷介電容，X7R,X5R,Y5U,Y5V是II類瓷介電容， I類瓷介電容容量穩(wěn)定性很好，基本不隨溫度，電壓，時(shí)間等變化而變化，但是一般容量都很小，而II類瓷介電容容量穩(wěn)定性很差，隨著溫度，電壓，時(shí)間變化幅度較大，所以一般用在對(duì)容量穩(wěn)定性要求不高的場(chǎng)合，如濾波等！

Important parameter：

1. Capacitance

2. Rated voltage

3. Tolerance

4. Size

C = (εoεr [**]) / d

εo is the permittivity of free space

εr is the relative dielectric constant

[**] is the area of a plate

d is the separation between the plates.

       在大功率、高壓領(lǐng)域使用的高壓陶瓷電容器，要求具有小型、高耐壓和頻率特性好等特點(diǎn)。隨著材料、電極和制造技術(shù)的進(jìn)步，高壓陶瓷電容器的發(fā)展有長(zhǎng)足的進(jìn)展，并取得廣泛應(yīng)用。高壓陶瓷電容器已成為大功率高壓電子產(chǎn)品不可缺少的元件之一。高壓陶瓷電容器的用途主要分為送電、配電系統(tǒng)的電力設(shè)備和處理脈沖能量的設(shè)備。